- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 43/40
Brevets de cette classe: 477
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
163 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
67 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
52 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
44 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
39 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
19 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
14 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
14 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
14 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
7 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
6 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
5 |
| Besang, Inc. | 17 |
3 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1642 |
2 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1043 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
2 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
2 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
2 |
| Autres propriétaires | 12 |